DNP开发出用于3纳米EUV光刻的光掩膜工艺

“Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功开发出一种光掩膜制造工艺，能够适应3纳米（10-9米）光刻工艺，以支持半导体制造的尖端工艺――极紫外(EUV)光刻。

响应电路线宽日益精细化的半导体市场需求

Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功开发出一种光掩膜制造工艺，能够适应3纳米（10-9米）光刻工艺，以支持半导体制造的尖端工艺――极紫外(EUV)光刻。

能够支持3纳米EUV光刻的光掩膜（照片：美国商业资讯）

[背景]

DNP不断满足半导体制造商对性能和质量的要求。2016年，我们成为全球首家推出多光束掩膜写入器(MBMW)的商业光掩膜制造商。2020年，我们开发出适用于5纳米EUV光刻工艺的光掩膜制造工艺，并一直在供应满足半导体市场需求的掩膜。在此次最新的进展中，为了满足进一步微型化的需求，我们开发出了能够支持3纳米工艺的EUV光刻用光掩模。

[摘要]

DNP于2016年推出的MBMW能够发射约26万束电子束，即使图案形状复杂，也能显著缩短光刻时间。此次，我们利用该设备的特点改进了制造工艺，同时优化了数据校正技术和加工条件，以匹配EUV光刻所用光掩膜的复杂曲面图案结构。

DNP已安装了新的MBMW，并计划于2024年下半年开始投入使用。我们还将加强对半导体制造先进领域的支持，如EUV光刻所用的光掩膜。

DNP将与总部设在比利时的国际尖端研究机构校际微电子中心(imec)共同推进用于下一代EUV曝光设备的EUV光掩膜的开发。

[展望未来]

DNP将向全球半导体相关制造商提供新开发的能够支持3纳米EUV光刻的光掩膜。此外，我们还将支持开发EUV光刻的外围技术，目标是在2030年实现100亿日元的年销售额。

通过与imec等合作伙伴的联合开发，DNP将继续开发更先进的光掩膜，以支持3纳米甚至2纳米以下的更精细的工艺。

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关于DNP

DNP成立于1876年，现已发展成为一家领先的跨国公司。我们充分利用基于印刷的解决方案和日益增多的合作伙伴的优势来缔造新的商机，同时保护环境以及为所有人创造一个更有活力的世界。凭借我们在微加工和精密涂层技术领域的核心竞争力，我们为显示、电子设备和光学薄膜市场提供各种产品。我们还开发出了均温板(vapor chamber)和反射阵列等新产品，以此提供下一代通信解决方案，推动建设更加以人为本的信息社会。