英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线，适用于航空等极端环境

“英飞凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飞凌专利技术RADSTOP™设计的最新抗辐射（rad hard）异步静态随机存取存储器。全新产品专为高可靠性和高性能极为关键的太空及其它恶劣环境应用而设计。

卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着联网设备的数量及其产生的数据量不断增长，这一点变得愈发重要。为满足太空应用中的这些高性能计算需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飞凌专利技术RADSTOP™设计的最新抗辐射（rad hard）异步静态随机存取存储器。全新产品专为高可靠性和高性能极为关键的太空及其它恶劣环境应用而设计。

英飞凌抗辐射（rad hard）异步静态随机存取存储器

在高性能太空计算中，数据缓冲所需要的内存比MCU或 FPGA片上存储器所能提供的内存更多。存储器必须为实时处理应用提供更高的性能并具有卓越的抗辐射性能，以满足在恶劣环境中的任务要求。英飞凌的全新抗辐射静态随机存取存储器（SRAM）有8位、16位和32位宽配置，并带有能进行单比特错误纠正的嵌入式纠错码（ECC）。这项先进技术使得纠错码（ECC）逻辑能够在读取周期内检测并纠正任何读取数据字中的单比特错误。

英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner博士表示：“辐射效应会导致静态随机存取存储器（SRAM）中不可避免的比特错误，而使用系统级纠错码（ECC）会增加设计复杂性和延迟。英飞凌的RADSTOP异步静态随机存取存储器（SRAM）提供了一种极其可靠的单芯片解决方案，可以在解决这些问题的同时，满足航天工业对抗辐射性能的要求。”

英飞凌领先的RADSTOP技术通过自主设计和工艺强化技术实现了抗辐射性能，可满足极端环境下的所有抗辐射要求。这款全新抗辐射存储器获得了QML-V认证，能够确保在极端环境下的可靠性和生命周期要求。这些半导体器件的存取时间短至10 ns，是目前速度最快的选择。此外，它们还为最高的密度和最低的静态电流提供了最小的占板面积。RADSTOP存储器解决方案扩展了整个系统的计算极限，同时具备尺寸、重量和功耗优势以及更大的设计灵活性。

供货情况

英飞凌的抗辐射静态随机存取存储器（SRAM）现已上市。了解有关高可靠性和抗辐射存储器解决方案产品组合的更多信息，请访问www.infineon.com/hirelmemory。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工，在2023财年（截至9月30日）的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。
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英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约3,000多名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。