三菱电机发布商用手持双向无线电用6．5W硅射频高功率MOSFET样品

“三菱电机集团近日宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。

三菱电机集团近日宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。

硅射频高功率MOSFET（RD06LUS2）

随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。

为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。

产品特点

行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围

• 通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。
• 内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。
• 与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。

行业先端的65%漏极效率，实现低功耗

• 针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。
• 漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。

双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本

• 与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。
• 兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。

主要规格

未来发展

新款RD06LUS2 MOSFET将于2024年7月发售。同时，配套的MOSFET驱动器(RD00LUS2)将于2024年3月开始提供样品，预定于2024年8月发售。此外，为了提供支持，将于2024年5月推出配备RD06LUS2 MOSFET和RD00LUS2驱动器的两级评估板以及非线性仿真模型。

环保意识

本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。

*1：从电池电源到射频功率输出的转换效率
*2：三菱电机现有的4W 射频高功率MOSFET（RD04LUS2）
*3：Restrictin of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于三菱电机

三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年，集团营收50036亿日元（约合美元373亿）。作为一家技术主导型企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。