CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率

“无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ，将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。

采用新型热阻增强封装的P2系列表现出超高的电气性能，支持具有挑战性的高功率应用，坚固可靠

无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(R_DS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ，将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。新型 ICeGaN™ P2系列 IC R_DS(on)低至25 mΩ，支持多kW功率应用，并提供超高效率。

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商务官：“人工智能的爆炸性增长导致能源消耗的显著增加，促使数据中心系统设计师优先考虑将   GaN 用于高功率、高效的功率解决方案。CGD这一新系列   GaN 功率 IC   支持我们的客户和合作伙伴在数据中心实现超过100   kW/机架的功率密度，满足高密度计算的最新   TDP（热设计功率）趋势的要求。在电机控制逆变器方面，开发人员正在使用 GaN 来减少热量，获得更小、更持久的系统功率。以上两个市场正是CGD   ICeGaN 功率   IC 现在的目标市场。简化的栅极驱动器设计和降低的系统成本，再加上先进的高性能封装，使   P2 系列 IC 成为这些应用的绝佳选择。” 

ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而最大限度地减少反向导通损耗，其性能优于分立 eMode GaN 和其他现有技术。新的封装提供了低至0.28 K/W的改进的热阻性能，与市场上任何其他产品比较具有相当或更加优异的性能。其双面 DHDFN-9-1（双散热器 DFN）封装的双极引脚设计有助于优化 PCB 布局和简单并联以实现可扩展性，使客户能够轻松处理高达多kW的应用。经过设计新型封装不仅提高了产量，其侧边可湿焊盘技术，更便于光学检查。

用户现在可申请 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 样品。该系列包括四款 R_DS(on)产品为25 mΩ和55 mΩ，额定电流为60 A和27 A的产品。产品采用10 mm x 10 mm封装 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1（底部散热器DFN）封装。与所有CGD ICeGaN产品一样，P2系列可以使用任何标准 MOSFET 或 IGBT 驱动器进行驱动。

现有2款采用新型 P2 产品演示板可供展示：一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开发的单相变三相汽车逆变器演示板；另一款是3kW图腾柱功率因数校正演示板。

新型 P2 系列 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 和演示板将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上首次公开展示。CGD 的展位号为7-643。欢迎用户莅临参观和了解这些产品。

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化，以实现能效和紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产，并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业，孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑，这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现，为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。欲了解更多信息，请访问 https://camgandevices.com/zh/。