SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块

“近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。

近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。

这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性，这意味着开关过程中的损耗极低。此外，该二极管在热管理方面的改进也令人瞩目，有助于降低系统冷却需求，使工程师能够设计出更高效、性能更优的电源系统。通过减少系统产生的热量，这些器件允许使用更小的散热器，从而节省了成本和空间。

具体而言，SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封装)分立二极管，在最大正向电流方面分别达到了110A和151A。其设计支持简单的并联配置，为电源应用提供了更高的灵活性和可扩展性。

同时，GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3双二极管模块，采用SOT-227封装，每个组件的最大正向电流分别为110A和214A，能够满足更高功率输出的需求。

这些SiC二极管在高频下的性能尤为出色，低损耗和低电磁干扰(EMI)的操作特性使它们成为提高能源效率和可靠性的理想选择。其内部隔离封装(AIN)提供了出色的绝缘和导热性，结和外壳之间的低热阻确保了即使在高功率水平下也能保持稳定性。此外，正向电压(Vf)的正温度系数(Tc)特性有助于模块的并联使用，进一步增强了系统的灵活性和可靠性。

SemiQ表示，这些新开发的1,700V SiC二极管在功率效率和可靠性方面取得了重大进步。QSiC™二极管的设计紧凑且灵活，运行损耗低，热管理出色，为客户开发先进且高性能的解决方案提供了有力支持。所有组件均经过严格的电压测试和雪崩测试，确保了其卓越的性能和可靠性。

随着电动汽车和可再生能源技术的快速发展，对高效、可靠的电力电子器件的需求不断增长。SemiQ此次推出的1,700V SiC肖特基二极管，无疑将为电源和电动汽车充电站等领域带来更加出色的性能和效率提升。