Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性

“Nexperia今日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择，RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。

针对开关应用中的低R_DSon、低尖峰和高效率进行了优化

Nexperia今日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6  mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低R_DS(on)和低Q_rr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择，R_DS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。

许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行对比时，特别看重是否能通过低Q_G(tot)和低Q_GD实现高效率。然而，通过广泛的研究，Nexperia发现Q_rr同样重要，因为它会影响尖峰表现，进而影响器件开关期间产生的电磁干扰(EMI)量。通过专注于研究该参数，Nexperia大大降低了其NextPower 系列80/100 V MOSFET产生的尖峰水平，同时也降低了它们产生的EMI量。如果最终用户的应用在后期未通过电磁兼容性(EMC)测试，而需要重新设计时，这将降低添加额外外部组件所需的高昂成本，从而为最终用户带来显著的益处。

与当前可用的器件相比，这些新MOSFET的导通电阻(R_DSon)降幅高达31%。Nexperia还计划在今年晚些时候进一步加强其NextPower 80/100  V产品组合，再发布一款LFPAK88 MOSFET，在80 V下提供低至1.2 mΩ的R_DS(on)，同时在产品组合中引入功率密集型CCPAK1212。为了进一步支持这些器件的设计导入和验证，Nexperia屡获殊荣的交互式数据手册，为工程师提供了全面且用户友好的器件行为分析。

要了解有关Nexperia  NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的更多信息，请访问： https://www.nexperia.com/nextpower-80-100V-MOSFETs

关于Nexperia

Nexperia总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有14,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有商业电子设计的基本功能提供支持。

Nexperia为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF  16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。